KINGSTON6745Memoria. Notebook 8gb Ddr4 2666 Cl 19 1.2V KVR26S19S8/8 Kingston6745Memoria. Notebook 8gb Ddr4 2666 Cl 19 1.2V KVR26S19S8/8 Kingston
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R$335.00 2023-12-31

Memoria. Notebook 8gb Ddr4 2666 Cl 19 1.2V KVR26S19S8/8 Kingston

Marca: KINGSTONModelo:KVR26S19S8/8 Referência: 2.31.092.71734
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    Memória Notebook 8gb Ddr4 2666 Cl 19 1.2V KVR26S19S8/8 Kingston

    Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%.

    Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de 'comando e endereço' transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.

    Características:
    - Marca: Kingston
    - Modelo:  KVR26S19S8/8

    Especificações:
    - Memória para: Notebook
    - Tipo: DDR4
    - Capacidade: 8GB
    - velocidade: 2666 MHz
    - CL (IDD): 19 ciclos
    - Tempo do ciclo da linha (tRCmin): 45.75ns(min)
    - Atualizar para Ativo / Atualizar | Hora do comando (tRFCmin): 350ns(min)
    - Tempo ativo da linha (tRASmin): 32ns(min)
    - Potência operacional máxima: TBD W
    - Classificação UL: 94V - 0
    - Temperatura de operação: 0°C + 85°C
    - Temperatura de armazenamento: -55°C + 100°C
    - Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico
    - VDDQ = 1.2V típico
    - VPP = 2.5V típico
    - VDDSPD = 2.2V a 3.6V
    - Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara
    - Atualização automática de baixa potência (LPASR)
    - Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
    - Geração e calibração VREFDQ na matriz
    - Classificação única
    - EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada
    - 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
    - Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS)
    - BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)
    - Topologia de passagem
    - Comando de controle terminado e barramento de endereço
    - PCB: Altura 1,18 pol. (30,00 mm)
    - Compatível com RoHS e sem halogênio


    - Imagens Meramente Ilustrativas


    Garantia:
    - Garantia contratual LifeTime junto ao fabricante
    - 3 meses de garantia legal, nos termos do artigo 26, II, do Código de Defesa do Consumidor


    Informações de acordo com o Fabricante.

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